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ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

2021-4-8 14:41| 發(fā)布者: CEO在線| 查看: 742| 評論: 0|來自: 企業(yè)家在線

摘要:   ~解決了GaN器件的柵極耐壓問題,并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領域的電源實現(xiàn)更低功耗和小型化~   全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向以工業(yè)設備和通信設備為首的各種電源電路,開發(fā)出針對150V耐壓 ...

  ~解決了GaN器件的柵極耐壓問題,并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領域的電源實現(xiàn)更低功耗和小型化~

  全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向以工業(yè)設備和通信設備為首的各種電源電路,開發(fā)出針對150V耐壓GaN HEMT*1(以下稱“GaN器件”)的、高達8V的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術(shù)。

  近年來,在服務器系統(tǒng)等領域,由于IoT設備的需求日益增長,功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一,而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。

  ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn),以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。此次,ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù),能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。

  與硅器件相比,GaN器件具有更低的導通電阻值和更優(yōu)異的高速開關性能,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。然而,GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低,在開關工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓,所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。

  在這種背景下,ROHM利用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V,這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設計裕度和可靠性。此外,還配合本技術(shù)開發(fā)出一種專用封裝,采用這種封裝不僅可以通過更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能,還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性,從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

  未來,ROHM將加快使用該技術(shù)的GaN器件開發(fā)速度,預計于2021年9月即可開始提供產(chǎn)品樣品。

  <開發(fā)中的GaN器件的特點>

  ROHM即將推出的目前正在開發(fā)中的GaN器件具有以下特點:

  1. 采用ROHM自有結(jié)構(gòu),將柵極-源極間額定電壓提高至8V

  普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅(qū)動電壓為5V,而其柵極-源極間額定電壓為6V,其電壓裕度非常小,只有1V。一旦超過器件的額定電壓,就可能會發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問題,這就需要對柵極驅(qū)動電壓進行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。

  針對這種課題,ROHM通過采用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。這使器件工作時的電壓裕度達到普通產(chǎn)品的三倍,在開關工作過程中即使產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓,器件也不會劣化,從而有助于提高電源電路的可靠性。

  2. 采用在電路板上易于安裝且具有出色散熱性的封裝

  該GaN器件所采用的封裝形式,具有出色的散熱性能且通用性非常好,在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實際應用記錄,因此,將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。此外,通過采用銅片鍵合封裝技術(shù),使寄生電感值相比以往封裝降低了55%,從而在設計可能會高頻工作的電路時,可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

  3. 與硅器件相比,開關損耗降低了65%

  該GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝,還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能,與硅器件相比,開關損耗可降低約65%。

  <應用示例>

  ・數(shù)據(jù)中心和基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路

  ・基站功率放大器單元的升壓轉(zhuǎn)換器電路

  ・D類音頻放大器

  ・LiDAR驅(qū)動電路、便攜式設備的無線充電電路

  <術(shù)語解說>

  *1) GaN HEMT

  GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料硅相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前利用其高頻特性的應用已經(jīng)開始增加。

  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

  *2) 柵極-源極間額定電壓(柵極耐壓)

  可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。

  工作所需的電壓稱為“驅(qū)動電壓”,當施加了高于特定閾值的電壓時,GaN HEMT將處于被動工作狀態(tài)。

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